电子显微镜分析仪

TEM的定量分析

STEM、TEM和T-SEM的能量色散X射线光谱仪

纳米尺度元素映射

定量元素作图

TEM的定量分析

集锦

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在TEM中使用硅漂移探测器的经验
探测器材料和驱动电bob综合游戏子设备设计用于快速、精确和可靠的数据采集,即使在原子分辨率下,也不会干扰高端TEM性能。
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凯文
元素ID和量化前所未有的能量上限
具有TEM特定高能电子,因此用于定量EDS的高能元素线
1.
原子
单原子ID和原子列映射
使用高立体角XFlash 6T探测器和高端高亮度冷FEG像差校正杆在几秒钟内识别单原子

纳米级TEM、STEM和SEM(T-SEM)中的EDS元素映射

清晰的多功能测量设置和纤细的几何结构确保了常规TEM EDS数据的快速可靠。高光谱图像是使用所谓的超光谱图或光谱图像获取的。每个像素的光谱和正确定量分析所需的所有元数据都保存下来,以供检查和处理。

  • 每种显微镜杆件类型的细线设计和几何优化确保最大收集和起飞角度。
  • 有助于避免样品倾斜、吸收、阴影和系统峰值。
  • 用于进一步提高探测效率的无窗探测器,特别是在低能区,用于K-线轻元素和L-、M-线以及更高Z-线元素。
  • 默认情况下自动收缩和定制可确保较长的探测器寿命和多功能实验。
  • 自动监控现场和操作实验,如材料加热,实时记录化学变化bob综合游戏.
  • 综合的软件套件ESPRIT用于在线和离线数据分析。

利益

TEM-EDS在线和离线软件

QUANTAX EDS for TEM包括一个灵活透明的分析软件包精神. 默认和可调整的方法允许对元素映射、所谓的超映射或光谱图像进行快速和全面的数据挖掘,并生成定量元素映射。包括光谱、对象、线扫描和元素映射的基于标准和无标准的量化例程,以及基于PCA的相位分析和自动统计粒子分析。

  • 离线分析软件,带有个人硬件密钥和/或LAN选项,用于学生或实验室网络。
  • 开放透明的用户界面:所见即所得。
  • 清除EDS数据量化例程的设置、修改和保存/重新加载。
  • 电子透明样品的两种定量方法:Cliff-Lorimer法和Zeta因子法。
  • 对于任何电压,包括SEM上的低电压,都可以计算出理论上的摩尔因子(扫描电镜中的透射电镜),使用稳定更新的大型原子数据库。
  • 使用标准样品,通过软件简单地校准实验性克立夫-洛里默因子和泽塔因子。
  • 所有元素的Zeta因子都可以使用现有的Cliff-Lorimer因子仅从少数元素标准计算得出。
  • 背景模型的选择:电子透明和块状样品的物理模型,以及数学背景计算。
  • 使用不同模板生成报告。

应用

元素分析在透射电镜上的应用领域

半导体
从NiSi(Pt)获得的光谱在低X射线能量下的反褶积结果

NiSi(Pt)-NiSi2半导体结构中Pt浓度的量化

该应用示例显示了来自铂合金NiSi薄膜外延生长的EDS数据,以及NiSi中少量at%铂合金的量化。NiSi用于半导体器件(如MOSFET)中纳米尺寸的金属化结构。
分层系统的组合元素映射

层状结构的化学相分析

在不应用先验知识的情况下,检查高光谱图像是否存在化学相是有利的。Bruker的ESPRIT自动相位通过分析基于光谱主成分分析的HyperMap,自动找到成分相似的样本区域。此程序的灵敏度可以调整。以多层结构的横截面为例说明了该方法。
纳米线的混合元素图

纳米线的化学表征

纳米结构,如纳米线、纳米棒和功能化纳米载体,在纳米技术的各种应用中,无论是纳米电子学还是人体内的药物传递,都越来越引起人们的兴趣。
石墨烯中的单硅原子

石墨烯上单个原子的识别

获得单个原子的光谱不仅是EDS的最高艺术,而且还可以提供有关特定元素激发特性的有价值的新信息。
互连结构的高角度环形暗场图像

半导体互连的化学成分

在常规扫描透射电子显微镜(STEM)上使用30mm2探测器面积的标准能量色散X射线光谱仪(EDS或EDX)可以在几分钟内提供纳米分辨率的元素映射。条件是,探头足够小(采用细线设计),以尽可能接近试样(高立体角),并尽可能高出试样(高起飞角)。后者有助于避免阴影和吸收效果。
RAM微芯片元素分布图

利用SEM中的STEM-EDS(T-SEM)对半导体RAM微芯片进行高分辨率绘图

用基于X射线的方法绘制半导体纳米结构的元素分布图并不总是直截了当的。在研究半导体材料时,需要纳米级的空间分辨率和X射线峰值重叠是常见的挑战。有时,使用SEM代替昂贵的TEM工具和时间进行表征是有益的。bob综合游戏