利用SEM的STEM-EDS高分辨率映射半导体结构(T-SEM)

用基于x射线的方法绘制半导体纳米结构的元素分布并不总是直接的。纳米尺度的空间分辨率和x射线峰重叠是研究半导体材料的常见挑战。bob综合游戏透射式扫描电镜(T-SEM)有时可以替代昂贵的透射电镜。本例显示了高分辨率EDS在扫描电子显微镜中使用环形器件获得的半导体结构图XFlash^®FlatQUAD4个SDD象限在样品和SEM极片之间呈径向对称布置。图是在20 kV和220 pA束电流下获得的。XFlash的高灵敏度^®在SEM中，FlatQUAD检测器可以实现优于10 nm的空间分辨率(见图2)。尽管x射线峰有强烈的重叠，但由于Bruker' s实现的峰值反褶积模型，硅(Si)和钨(W)可以在地图中很好地区分出来。思捷环球软件(见图1)。