原子柱EDS分析

半导体的性质是由它在原子水平上的结构决定的，例如点缺陷。使用尽可能高分辨率的EDS制图，可以定位和表征这些缺陷。

本应用示例查看m.w. Chu (m.w. Chu et. al.， Phys.)提供并发表的数据。Rev. 104, 196101 (2010)，https://journals.aps.org/prl/abstract/10.1103/PhysRevLett.104.196101)．研究的是由InGaAs和InAlAs交替层组成的多层结构。仅使用3 ms停留时间(13 s总测量时间)和33 pA束电流，就可以确定InGaAs结构的一个原子柱中的In成分变化。In地图右下角缺少的蓝色可以看出In的缺失，它还导致HAAD线剖面中较低的InGa列。