硅中的碳和氧定量
硅制造商必须控制碳和氧的含量，因为它们对半导体既有利又有害。
傅里叶变换红外光谱法测定碳、氧含量的研究
硅中碳和氧的红外光谱分析具有快速、灵敏、无破坏等优点，是一种广泛接受的硅质量控制方法。Bruker在这一领域拥有数十年的经验，并提供最强大和最新的解决方案。
详细介绍碳和氧的量化
基于研究系列光谱仪的解决方案:
- 根据ASTM/SEMI MF1391对Si中取代碳的室温量化
- 根据ASTM/SEMI MF1188测定Si中间隙氧的室温定量
- 推荐样品性能:厚度0.5 - 2.5 mm，双面抛光，单晶或多晶
- 将低温分析的灵敏度提高到近似
碳是10 ppba - 可实现的检测极限<400ppba
溶液基于CryoSAS低温Si分析仪
- 优化的操作在工业环境中高度敏感的低温硅分析，不需要低温液体bob娱乐平台
- 全自动化的测量周期和数据评估，包括报告生成
- 同时量化碳，氧和浅层杂质，根据ASTM/SEMI标准
- 定量B, P和进一步浅层杂质单晶硅下降到低ppta范围。
- 多晶硅或单晶硅中取代碳的定量降低到低ppba范围
- 多晶硅或单晶硅中间隙氧的定量到低ppba范围
基于SiBrickScan硅锭分析仪的解决方案:
- 与ASTM/SEMI 1188标准相连接的专用在线系统，用于完整硅锭中间隙氧的定量和校准
- 结果表明，氧浓度分布沿硅锭的纵轴方向
- 根据样品的形状和性质，可以达到<2ppma的间隙氧检测极限。
