硅中的碳和氧的定量
对硅制造商来说，控制碳和氧的含量是至关重要的，因为它们可能对半导体产生有利和有害的影响。
关于碳、氧含量的FT-IR定量
傅里叶变换红外光谱分析硅中的碳和氧具有快速、灵敏、无破坏等优点，是一种被广泛接受的硅质量控制方法。布鲁克在这一领域拥有数十年的经验，并提供最强大和最新的解决方案。
详细介绍了碳和氧的定量
基于研究系列光谱仪的解决方案:
- 根据ASTM/SEMI MF1391对硅中替代碳的室温定量
- 根据ASTM/SEMI MF1188对硅中的间隙氧进行室温定量
- 推荐样品性能:厚度0.5 - 2.5 mm，双面抛光，单晶或多晶
- 低温分析，提高灵敏度下降到大约
碳是10ppba - 可达到的检测限<400ppba
解决方案基于CryoSAS低温硅分析仪
- 在不需要低温液体的高灵敏度低温硅分析的工业环境中进行操作优化bob娱乐平台
- 全自动化的测量周期和数据评估，包括报告生成
- 同时量化碳，氧和浅层杂质根据ASTM/SEMI标准
- 定量B, P和进一步的浅层杂质在单晶硅下降到低ppta范围。
- 定量的取代碳在多晶硅或单晶硅低ppba范围
- 定量多晶硅或单晶硅中的间隙氧，直至低ppba范围
基于SiBrickScan硅锭分析仪的解决方案:
- 与ASTM/SEMI 1188标准相关，用于校准完整硅锭中间隙氧定量的专用在线系统
- 结果表明，硅锭的氧浓度沿纵轴分布
- 根据样品的形状和性质，可以达到<2ppma的间隙氧检测极限。
