太阳的

硅中的碳和氧气定量

对于硅制造商来说,控制其碳和氧气含量至关重要,因为它们可以对半导体产生有益和有害影响。

关于FT-IR对碳和氧含量的定量

硅中的碳和氧的FTIR分析是快速,敏感,无破坏的,因此是SI质量控制的广泛接受方法。布鲁克(Bruker)在这一领域拥有数十年的经验,并提供最强大和最新的解决方案。

详细介绍碳和氧气定量

基于研究系列光谱仪的解决方案:

  • 根据ASTM/SEMI MF1391的室温定量Si中替代碳
  • 根据ASTM/SEMI MF1188
  • 推荐样品特性:0.5 - 2.5毫米的厚度,双面抛光,单晶或多晶
  • 低温分析以提高灵敏度至大约
    碳10 ppba
  • 可实现的检测极限<400ppba

基于低温SI分析仪的冷冻剂解决方案

  • 在工业环境中优化了高度敏感的低温SI分析的操作,而无需低温液体bob娱乐平台
  • 完全自动化的测量周期和数据评估,包括报告生成
  • 根据ASTM/半标准同时量化碳,氧气和浅杂质
  • B,P和单晶Si中的进一步浅杂质的定量至PPTA范围低。
  • 量化多硅酸盐或单晶Si中的替代碳降低到低PPBA范围
  • 量化多硅酸盐或单晶Si中的间质氧降低到低PPBA范围

基于Sibrickscan Si Ingot分析仪的解决方案:

  • 用于量化具有校准的完整硅锭中的间隙氧的专用AT线系统,与ASTM/SEMI 1188标准链接
  • 结果,沿硅锭的纵轴氧气浓度曲线结果
  • 根据样品形状和特性,可以达到<2ppma的间隙氧检测极限。