硅中的碳和氧气量化
硅制造商必须控制碳和氧含量，因为它们可以具有对半导体的有益和不利影响。
关于FT-IR的碳和氧含量的定量
硅中碳和氧气的FTIR分析快速，敏感，破坏，因此广泛接受的Si质量控制方法。Bruker在这一领域拥有数十年的经验，提供最强大，最新的解决方案。
进入碳和氧气量化细节
基于研究系列光谱仪的解决方案：
- 根据ASTM / SEMI MF1391，Si中取代碳的室温定量
- 根据ASTM / SEMI MF1188的Si室温定量Si中的间质氧气
- 推荐的样品特性：厚度为0.5 - 2.5 mm，双面抛光，单晶或多晶硅
- 低温分析，提高敏感性降至大约
10 ppba碳 - 可实现的检测限值<400PPBA
基于低温低温Si分析仪的解决方案
- 优化用于高敏感的低温Si分析的工业环境中的操作，无需低温液体bob娱乐平台
- 全自动测量周期和数据评估，包括报告生成
- 根据ASTM /半标列同时量化碳，氧气和浅杂质
- 单晶Si中的B，P和其他浅杂质的定量降至低PPTA范围。
- 多晶硅或单晶Si中的取代碳的定量降至低PPBA范围
- 量化多晶硅或单晶Si的间质氧气下降到低PPBA范围
基于Sibrickscan Si ingot分析仪的解决方案：
- 专用的静脉系统，用于定量完全硅锭的间质氧气，校准，与ASTM /半1188标准相关联
- 沿硅锭的纵向轴氧浓度曲线作为硅锭的结果
- 根据样品形状和性质，可以实现<2PPMA的间质氧检测限。
