晶圆级包装

故障分析

故障分析

故障分析

故障分析是制造半导体材料所需的生产控制必不可少的一部分。bob综合游戏根据材料和应用，可以将故障分析分为电气，化学和机械测试，以研究产品或材料故障的根本原因。

基于SEM/TEM的解决方案

基于SEM/TEM的解决方案

STEM中的定量ED与组件水平（FIB）上的单个样品制备相结合提供了识别和研究半导体设备内部结构缺陷的手段。

申请示例

选定的微处理器的概述：用M4龙卷风获取的Micro-XRF地图。

与EBSD的微处理器线键合的微观结构表征

球键是一种电线键，通常用于半导体设备中的电连接。

互连结构的高角度环形黑场图像

半导体互连的化学组成

在常规扫描透射电子显微镜（STEM）上使用30mm2的检测器区域（STEM），标准能量色散X射线光谱（EDS或EDX）可以在几分钟内提供NM分辨率的元素映射。条件是，探测器头足够小（在细线设计中），可以尽可能靠近（高实心角度）的样品，并且尽可能高于样品（高起飞角）。后者有助于避免阴影和吸收效果。

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材料研究中高端茎的大型收集角EDS检测器bob综合游戏

传输电子显微镜的单EDS检测器必须满足非常特定的几何约束。X射线收集的大量实体角度不够。高起飞角度，合适的准直仪形状或杆件盖以及适应的标本持有器几何形状对于成功的EDS分析至关重要，并有助于控制阴影和系统峰。大型椭圆形检测器区域可以在某些情况下支持所有这些参数的优化。

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Micro-XRF

Micro-XRF

总体而言，布拉格峰通常被认为是微XRF中的障碍物，在光谱中可以看到它们，因此可以在XRF地图中可视化。布鲁克的Micro-XRF仪器可以通过快速的大型映射来可视化此类Bragg峰的外观，消失或移位。揭示了晶体方向或结构的变化。

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