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故障分析

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故障分析

故障分析是制造半导体材料所需的生产控制不可或缺的一部分。bob综合游戏根据材料和应用，失效分析可分为电气，化学和机械测试，研究产品或材料故障的根本原因。

SEM / TEM的解决方案

SEM / TEM的解决方案

茎中的定量EDS与组分水平（FIB）上的个体样品制备相结合，提供了识别和研究半导体器件内部结构的缺陷的方法。

应用例子

所选微处理器的概述：使用M4龙卷风获取的Micro-XRF地图。

与EBSD的微处理器线粘合的微观结构表征

球键合是一种焊接的键合，通常用于半导体器件中的电互连。

互连结构的高角度环形暗场图像

半导体互连的化学成分

使用在常规扫描透射电子显微镜（Stew）上使用30mM2的检测器区域的标准能量分散X射线光谱（EDS或EDX）可以在几分钟内以NM分辨率提供元件映射。条件是，检测器头部足够小（在细线设计中），以便尽可能靠近样品（高固体角）并且高于样品（用于高飞角度）的高于标本（用于高取出角）。后者有助于避免遮蔽和吸收效果。

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大型集合角度EDS探测器材料研究中的高端杆bob综合游戏

用于透射电子显微镜的单个EDS探测器必须满足非常特定的几何约束。X射线集合的大实角度是不够的。高飞角度，合适的准直器形状或极靴和适应的样品夹具几何对于成功的EDS分析至关重要，并帮助保持阴影和系统峰值检查。大型椭圆形探测器区域可以支持某些情况的所有这些参数的优化。

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微XRF.

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虽然布拉格峰通常被认为是妨碍微XRF的人工制品，但它们在光谱中看到，因此可以在XRF地图中可视化。布鲁克的微XRF.仪器使得这种布拉格峰的外观，消失或转移能够快速大面积映射。揭示晶体取向或结构的变化。

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