晶圆级封装

失效分析

失效分析

失效分析

失效分析是半导体材料生产过程中必不可少的生产控制环节。bob综合游戏根据材料和应用，失效分析可以分为电气、化学和机械测试，以调查产品或材料失效的根本原因。

SEM /为解决方案

SEM /为解决方案

STEM中的定量能谱结合个体在组件水平上的样品制备(FIB)提供了识别和研究半导体器件内部结构缺陷的手段。

应用实例

所选微处理器概述:用M4 TORNADO获得微xrf图。

微处理器线键合与EBSD的微结构特征

球键合是线键合的一种，常用于半导体器件的电气互连。

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互连结构的高角度环形暗场图像

半导体互连线的化学组成

在常规扫描透射电子显微镜(STEM)上使用30mm2的探测面积的标准能量色散x射线光谱(EDS或EDX)可以在几分钟内提供纳米分辨率的元素映射。条件是，探测器头部足够小(在细线设计中)，以尽可能接近样品(高立体角)和尽可能高高于样品(高起飞角)。后者有助于避免阴影和吸收效果。

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FinFET_Fig1_HAADF-EDS-Quant

用于材料研究中高端STEM的大采集角EDS探测器bob综合游戏

用于透射电子显微镜的单个EDS探测器必须满足非常特定的几何约束。大的实心角度采集x射线是不够的。高起飞角度，合适的准直器形状或极片盖和适应的样品支架几何形状对成功的EDS分析至关重要，有助于保持阴影和系统峰值的检查。一个大的椭圆探测器区域可以支持在某些情况下所有这些参数的优化。

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TEM, STEM和T-SEM EDS定量。

2019年6月20日

TEM, STEM和T-SEM EDS定量

在本次网络研讨会中，我们将解释电子透明样品的EDS定量。

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按需会议- 60分钟

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半导体结构的持续小型化需要他们对纳米尺度的理解，以确保最佳的设计和失效分析。

XFlash 6 - 100椭圆形

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新!无窗高采集角EDS探测器，面积为100mm²椭圆形硅漂移探测器

我们宣布发布了一种新的大采集角EDS探测器，椭圆形SDD面积为100 mm2，用于TEM和STEM的XFlash®6T-100椭圆形，用于SEM和T-SEM的XFlash®6-100椭圆形。

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尽管布拉格峰通常被认为是微XRF中的干扰物，但它们可以在光谱中看到，因此可以在XRF图中显示出来。力量的micro-XRF仪器能够通过快速的大面积测绘来可视化这些布拉格峰的出现、消失或移动。显示晶体取向或结构的变化。

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