晶圆级封装

失效分析

失效分析

失效分析

失效分析是半导体材料生产控制中不可缺少的一部分。bob综合游戏根据材料和应用，失效分析可以分为电气、化学和机械测试，以调查产品或材料失效的根本原因。

SEM /为解决方案

SEM /为解决方案

STEM中的定量能谱(EDS)结合元件水平的单个样品制备(FIB)为识别和研究半导体器件内部结构缺陷提供了手段。

应用实例

所选微处理器概述:使用M4 TORNADO获取micro-XRF地图。

微处理器与EBSD线键合的微观结构特征

球键合是一种线键合，通常用于半导体器件的电气互连。

HAADF-Abbildung静脉Halbleiterstruktur

Chemische Zusammensetzung von halbleiter -互连

Die energiedispersion Röntgenspektroskopie (EDS orderedx) der Standardklasse mit 30mm²aktiver Detektorfläche kann in konventionellen Rastertransmissionselektronenmikroskopen (STEM) innerhalb weniger Minuten elementtilungbilder mit nm-Auflösung liefern。Voraussetzung坚持,dass der Detektorkopf克莱因足够的坚持(Slim-line-Ausfuhrung),汽水盛Abstand苏珥探针moglichst蒙古包是(毛皮杯hohen Raumwinkel,来自民主党Rontgenstrahlung erfasst了萤石)和der Detektor所以霍克是不是moglich uber der探针positioniert了萤石(毛皮杯hohen Abnahmewinkel)。在他的帮助下，我们接受了他的建议。

FinFET_Fig1_HAADF-EDS-Quant

Große Sammelwinkel-EDS-Detektoren für高端stem材料

Einzelne EDS-Detektoren für传输selektronenmikroskope müssen sehr spezifischen几何模型Einschränkungen entsprechen。Ein groer ßer Feststoffwinkel für die Röntgenaufnahme reicht nicht aus。Hoher Startwinkel, geegeignete kollioroder Polstückabdeckung和angepasste probenhaltergeometries, sinentscheidfür和erfolgreiche EDS-Analyse and helfen dabei, Schatten and Systemspitzen in Schach zu halten。Ein groer ßer ovaler Detektorbereich can die Optimierung all dieser参数für bestimmte sitationen unterstützen。

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尽管布拉格峰通常被认为是微XRF中的阻碍效应，但它们在光谱中可以看到，因此可以在XRF图中可视化。力量的micro-XRF仪器能够使这种布拉格峰的出现，消失或移动的可视化与快速大面积绘图。显示晶体方向或结构的变化。

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