nanoECR
原位纳米接触电阻
导电Nanoindentation
电流与位移曲线和从压痕到硅的相关电流测量显示了在相变期间电阻率的变化。
电接触电阻测量与纳米压痕的结合为纳米尺度上的接触电阻演化和材料变形行为提供了有价值的新见解。通过电流通过导电的纳米压头探针，可以确定纳米尺度的电特性是施加在样品表面的探针力和探针位移的函数。除了定量测量纳米级电接触的I-V特性，还可以在薄膜断裂、位错形核、变形瞬态、接触电阻、疲劳、二极管行为、隧道效应、压电响应、相变等领域获得新的见解。
在一次压痕实验中，获得了不同负载下的一系列电流-电压(I-V)曲线。
原位电和纳米压痕测量
布鲁克的nanoECR采用布鲁克专利的新型静电传感器，该传感器经过改进，提供了从样品偏压台到导电压头探针的电路径，从而能够连续测量随外加力和探针位移而变化的电接触条件。在反馈控制下操作，nanoECR能够在高度控制的施加负载或探头位移条件下，从纳米级探头接触进行恒定电压或I-V扫描测量。
