纳米
原位纳米级电接触电阻
导电纳米狭窄
电流与位移曲线和从凹陷中的相关电流测量到Si，显示相变期间电阻率的变化。
用纳米凸缘的电接触电阻测量的组合为纳米级的接触电阻进化和材料变形行为提供了有价值的新见解。通过通过导电纳米丁烯探针通过电流，可以确定纳米级电特性作为应用探针力和探针位移进入样品表面的函数。除了定量测量纳米级电触点的I-V特性外，可以在薄膜断裂，位移成核，变形瞬变，接触电阻，疲劳，二极管行为，隧道效应，压电响应，相变，和相变的区域中获得新的见解更多的。
在单个压痕实验期间在不同负载下获得的一系列电流 - 电压（I-V）曲线。
原位电气和纳米齿测量
Bruker的NanoEgR利用了Bruker的专有静电换能器的新模型，其被修改为通过导电压痕探针从样品偏置级提供电气路径，以便能够连续地测量作为施加力和探针位移的函数的演化电接触条件。在反馈控制下运行，纳米可以在高度控制的施加负载或探针位移条件下从纳米级探针触点开始恒定电压或I-V扫描测量。
