污染控制
可靠和有效的缺陷和污染控制是生产线成品率的关键。Bruker为这个任务提供了解决方案。
介绍
污染控制
微量金属污染是半导体器件制造中一个不断增长的问题。污染对先进技术节点尤为严重。表面的痕量金属以多种方式影响半导体器件的性能和产品产量。在高温加工过程中，表面金属会扩散到硅基板中，作为复合中心，降低少数载流子寿命。表面上的金属也会对硅的氧化速率产生不利影响，并成为栅氧化物的组成部分，降低氧化物的完整性。因此，微量金属污染的表面测量是器件制造的关键步骤。
TXRF
污染控制TXRF
全反射x射线荧光(TXRF)是在线半导体表面痕量金属分析的标准监测计量。JVX7300F-C TXRF可以快速、无损、在线和完全自动化的测量。该工具允许工厂技术人员收集关键的污染测量数据所需的质量控制与定制配方。此外，该软件允许重新分析已经获得的数据。
在TXRF中，一束x射线以掠射角度入射晶圆表面。掠射角的选择允许入射x射线的全内部反射，以改善仅在晶圆表面的材料的激发。选择入射x射线束能量激发表面污染中某些元素的x射线发射。从污染物质中发出的x射线具有特定元素的特征能量。这就可以对污染种类或痕量金属进行量化。x射线荧光过程对晶圆是无损的，测量尺寸由固态探测器几何尺寸确定。
收集关键污染测量数据
全反射x射线荧光(TXRF)是在线半导体表面痕量金属分析的标准监测计量。JVX7300F-C TXRF可以快速、无损、在线和完全自动化的测量。该工具允许工厂技术人员收集关键的污染测量数据所需的质量控制与定制配方。此外，该软件允许重新分析已经获得的数据。
SEM /为解决方案
半导体硅化钽的峰重叠问题的解决
由于半导体材料中的污染物通常又小又薄，所以通常在很低的加速电压(1-5 kV)下进行分析。这将x射线光谱学限制在低能线，并要求具有高光谱分辨率的分析技术，如WDS。
