污染控制

介绍

微量金属污染是半导体器件制造中不断受到关注的问题。污染对于先进技术节点尤其重要。表面的微量金属以多种方式影响半导体器件性能和产品收率。在高温处理过程中，表面的金属可以扩散到硅基板，作为复合中心，并降低少数载流子的寿命。表面的金属也会对硅的氧化速率产生不利影响，并与栅氧化物结合，降低氧化物的完整性。因此，微量金属污染的表面测量是器件制造中的关键步骤。

TXRF

TXRF用于污染控制

全反射x射线荧光(TXRF)是在线半导体表面痕量金属分析的标准监测计量。JVX7300F-C TXRF可以快速、无损、在线和完全自动化的测量。该工具允许工厂技术人员通过可定制的配方收集质量控制所需的关键污染测量数据。此外，该软件允许对已获得的数据进行重新分析。

在TXRF中，一束x射线以掠角入射到晶圆表面。选择掠射角度是为了允许入射x射线的全内反射，以改善只在晶圆表面的材料激发。选择入射的x射线束能量来激发某些元素的x射线辐射。污染物质发射的x射线具有特定元素的特征能量。这允许对污染物种或痕量金属进行量化。x射线荧光过程对晶圆是无损的，测量尺寸由固态探测器几何形状的尺寸决定。

收集关键污染测量数据

全反射x射线荧光(TXRF)是在线半导体表面痕量金属分析的标准监测计量。JVX7300F-C TXRF可以快速、无损、在线和完全自动化的测量。该工具允许工厂技术人员通过可定制的配方收集质量控制所需的关键污染测量数据。此外，该软件允许对已获得的数据进行重新分析。

SEM /为解决方案

SEM /为离线解决方案

半导体器件表面金属污染对器件性能和产品收率有多方面的影响。对于离线检测，Bruker提供基于SEM和TEM的解决方案，包括能量色散x射线光谱(EDS)、波长色散x射线光谱学(改进算法)及电子背散射衍射(EBSD)．这些技术允许对单个污染物进行定位、形态表征和成分分析。这甚至可以使用定制的粒子分析软件功能与ESPRIT软件的EDS测量自动执行。