污染控制|布鲁克 - bob综合客户端app,bob电竞官方网站,bob体育竞技风暴

介绍

污染控制

微量金属污染是半导体器件制造中一个持续增长的问题。污染对于先进技术节点尤为关键。表面痕量金属以多种方式影响半导体器件性能和产品产量。在高温处理步骤中，表面的金属可以扩散到硅衬底中，充当复合中心，并降低少数载流子寿命。表面的金属也会对硅的氧化速率产生不利影响，并与栅极氧化物结合，降低氧化物的完整性。因此，微量金属污染的表面测量是器件制造中的关键步骤。

TXRF

用于污染控制的TXRF

全反射X射线荧光（TXRF）是在线半导体表面痕量金属分析的标准监测计量方法。JVX7300F-C TXRF可进行快速、无损、在线和完全自动化的测量。该工具允许工厂技术人员收集质量控制所需的关键污染测量数据，以及可定制的配方。此外，该软件允许重新分析已采集的数据。

在TXRF中，X射线束以掠射角度入射到晶圆表面。选择掠射角以允许入射X射线的全内反射，从而仅在晶圆表面改善材料的激发。选择入射X射线束能量，以激发表面污染产生的某些元素X射线发射。污染物种发出的X射线具有特定于元素的特征能量。这允许对污染种类或痕量金属进行量化。X射线荧光过程对晶圆无破坏性，测量尺寸由固态探测器几何尺寸确定。

收集关键污染测量数据

全反射X射线荧光（TXRF）是在线半导体表面痕量金属分析的标准监测计量方法。JVX7300F-C TXRF可进行快速、无损、在线和完全自动化的测量。该工具允许工厂技术人员收集质量控制所需的关键污染测量数据，以及可定制的配方。此外，该软件允许重新分析已采集的数据。

基于SEM/TEM的溶液

基于SEM/TEM的离线解

半导体器件的表面金属污染以多种方式影响其性能和产品产量。对于离线检查，Bruker提供基于SEM和TEM的解决方案，包括能量色散X射线光谱(EDS)，波长色散X射线光谱法(单词)电子背散射衍射(EBSD)这些技术允许对单个污染物进行定位、形态表征和成分分析。这甚至可以使用定制的粒子分析软件功能和ESPRIT EDS测量软件自动执行。