gan on Si Power设备计量学

Si Power设备上的GAN可以通过阶梯和最高级缓冲区生长，但是两种类型的设备层都相同。

梯级缓冲区用于低压设备，通常是不太复杂的结构。在这些缓冲液中，需要单个层的组成，可以从HRXRD测量以及从摇摆曲线的宽度获得的质量获得。

超晶格缓冲液更为复杂，并且已为更高的电压设备开发。它们由Algan / GAN（或类似）层的重复双层组成，HRXRD提供了超晶格期和超晶格中的平均Algan组成。

无论缓冲层如何，X射线测量所需的设备层参数是每个层的厚度和Algan屏障层的组成。这些可以从X射线扫描的组合中找到。

已经为SI应用程序开发了完整的计量套件。其中包括使用三轴扫描进行缓冲层分析，摇摆曲线，用于超快速RSM的质量和组合（降至10秒）和组成扫描，以充分表征结构。