GaN on Si功率器件计量

硅功率器件上的氮化镓可以用阶梯式和最高级缓冲来生长，但两种类型的器件层是相同的。

阶梯式缓冲器用于低压装置，结构一般不太复杂。在这些缓冲液中，需要单独的层的组成，可以通过HRXRD测量获得，并通过摇摆曲线的宽度获得质量。

超晶格缓冲更复杂，已被开发用于更高电压的设备。它们由重复的双层AlGaN / GaN(或类似的)层组成，HRXRD提供了超晶格周期和超晶格中AlGaN的平均组成。

不考虑缓冲层，x射线测量所需的器件层参数为各层的厚度和AlGaN阻挡层的组成。这些可以通过x射线扫描发现。

一套完整的计量已经开发用于硅上的氮化镓应用。其中包括使用三轴扫描进行缓冲层分析，摇摆曲线的质量和超快RSMs(低至10秒)的组合，以及成分扫描进行结构的全面表征。