硅中的浅杂质
浅层杂质，如硼和磷，是只需要很少能量就能电离的杂质。我们将解释如何使用FT-IR来分析它们。
用FT-IR分析Si中的浅层杂质(如B, P…)
傅里叶变换红外光谱分析对硅中浅层杂质的检测具有高度的灵敏度和无破坏性，因此是一种广泛接受的硅质量控制方法。Bruker在这一领域拥有数十年的经验，并提供最强大和最新的解决方案。
使用CryoSAS低温Si分析仪:
- 优化的操作在工业环境中高度敏感的低温硅分析，不需要低温液体bob娱乐平台
- 根据ASTM/SEMI标准全自动测量周期和数据评估，包括报告生成
- 定量的III和V族杂质(B, P, As, Al, Ga, Sb)单晶Si下降到低ppta范围
- 碳和氧的同时定量。
使用FT-IR光谱仪:
低温近红外光致发光定量的浅层杂质(如B, P)单晶硅根据ASTM/SEMI MF1389，检测限小于1ppta可实现。可用的液体He低温器或无低温脉冲管低温器。