硅的浅杂质
像硼和磷这样的浅杂质是杂质，仅需要几乎需要电离才能电离。我们解释了如何使用FT-IR分析它们。
使用FT-IR分析Si中的浅杂质（例如B，P…）
FTIR分析对于检测硅中的浅杂质，因此是高度敏感的，因此是一种广泛接受的SI质量控制方法。布鲁克（Bruker）在这一领域拥有数十年的经验，并提供最强大和最新的解决方案。
使用低温SI分析仪使用冷冻剂：
- 在工业环境中优化了高度敏感的低温SI分析的操作，而无需低温液体bob娱乐平台
- 根据ASTM/半标准，包括报告生成，完全自动化的测量周期和数据评估
- 单晶Si中的III和V组杂质（B，P，AS，Al，GA，SB）的定量量化至低PPTA范围
- 同时定量碳和氧气。
使用FT-IR光谱仪：
低温NIR光致发光，用于根据ASTM/SEMI MF1389在单晶硅中定量浅层杂质（例如B，p），检测限制限制小于1PPTA的限制。带有液体HE低温恒温器或无低温脉搏管低温恒温器可用。