硅的质量控制
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如果质量控制
硅的质量控制
元素杂质和晶格破坏对硅的光电性能有深刻的影响。因此，对硅晶的外部污染和尺寸的质量监测是一项关键的任务。红外光谱(FT-IR)和微x射线荧光光谱(micro-XRF)是表征此类材料中较大缺陷和结晶的理想分析工具。bob综合游戏
傅立叶变换红外光谱应用实例
硅质量控制的FT-IR解决方案
根据ASTM/SEMI MF标准，bob综合游戏可以研究整个范围的材料，包括特定的硅QC解决方案。
- 工业硅的室温碳和氧定量bob娱乐平台
- 对硅的电学性质有显著影响的浅杂质(B, P, As等)的测定
- 低温近红外光致发光定量浅杂质与不匹配的灵敏度
CryoSAS:
用于低温硅杂质分析的低温硅分析系统
SiBrickScan:
在线硅锭分析仪SiBrickScan用于氧定量
INVENIO和顶点:
具有高灵活性的下一代FT-IR光谱仪
硅的室温碳氧定量
傅里叶变换红外光谱分析硅中碳、氧具有快速、灵敏、无破坏等特点，是一种被广泛接受的硅质量控制方法。
Bruker在这一领域拥有数十年的经验，基于VERTEX系列，我们提供最强大的和最新的解决方案。
- 根据ASTM/SEMI MF1391对Si中替代碳进行室温定量
- 根据ASTM/SEMI MF1188对Si中的间隙氧进行室温定量
- 可达到检测限<400 ppba
- 推荐样品性能:厚度0.5 - 2.5 mm，双面抛光，单晶或多晶
低温光致发光硅QC
根据ASTM/SEMI MFI1389，低温近红外光致发光(PL)可以量化单晶硅中的浅杂质(如B, P)。
结合VERTEX 80 FTIR光谱仪无与伦比的灵敏度和专用的Si光致发光模块与低温恒温器，检测限可达到低于1ppta。
- 根据ASTM/SEMI MFI1389在单晶硅中定量B, P和Al
- CVD沉积三氯硅烷(TCS)外延硅层PL质量控制
- 各种选择，如低温恒温器自动化，专用软件的Si QC光致发光，校准样品和第二额外激发激光器
Micro-XRF应用实例
应用实例
利用能量色散微xrf快速晶体域映射
在能量色散的XRF中，布拉格衍射峰常被认为是干扰荧光信息的干扰物。然而，这些布拉格峰，因为它们与晶体取向有关，提供了关于样品性质的额外信息。在这里，我们描述如何M4龙卷风可以用来可视化晶体领域。这些信息对于评估单晶的质量以及多晶材料的性能是至关重要的。bob综合游戏这一原理可用于识别单晶中的亚晶粒取向偏差以及多晶样品中的微晶尺寸。
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