半导体研发

对于半导体的研究和开发,除其他技术外,FT-IR及相关光谱是研究半导体基本面的一种简单有效的工具。

调音子镜头

关于声子光谱

声子在固态样品中进行量化晶格振动,通常可以在远处或中红外光谱范围内测量,例如通过反射率或透射光谱。声子能量,带状等可以揭示有关样品结构和质量的宝贵信息。Bruker Research FT-IR光谱仪可以覆盖极宽的光谱范围,尤其是真空光谱仪是远红外声子光谱法的理想选择。专用的样品隔室配件,包括低温固定适应,提供了各种实验选项。

红外光致发光

红外光发光光谱

光致发光(PL)光谱是半导体R&D的重要工具。激光激发诱导的样品发射可深入了解例如带结构和电荷载体详细信息。基于其FT-IR R&D光谱仪,Bruker提供了专用的PL模块,其中包括各种选项,例如低温恒温器改编。对于最苛刻的中红外PL案例,专用真空PL模块适用于顶点80V真空光谱仪,其独特的阶梯扫描性能是最强大的解决方案。

激子和带隙研究

关于激子和带隙研究

除了光致发光光谱外,对半导体的带隙,激子和其他电子特征的研究可以,例如也可以通过透射光谱法完成。由于Bruker FT-IR R&D光谱仪的独特多功能性,这在非常广泛的光谱范围内是可能的,从远红外到VIS/UV范围。为了获得最高灵敏度,具有完全撤离光学台的真空光谱仪,可以达到极限。专用配件可以实现各种实验设置。

半导体杂项结构

半导体杂项结构

半导体杂项结构是纳米结构的,通常是周期性的半导体结构,例如量子井,超晶格,量子点等。除了光发光光谱法,还具有带有Bruker FT-IR R&D光谱仪的反射率或透射光谱,还可以是有价值的工具。